Versie van 25 sep 2016 22:22 bewerken Gerben49 (overleg \| bijdragen) uitgebreid bevestigde gebruikers 2.360 bewerkingen →‎Bruggelijkrichters ← Oudere bewerking		Versie van 26 sep 2016 12:17 bewerken ongedaan maken Madyno (overleg \| bijdragen) 34.753 bewerkingen Geen bewerkingssamenvatting Nieuwere bewerking →
Regel 56: Een halfgeleiderdiode kan in doorlaatrichting gebruikt worden als temperatuursensor. De spanning over de diode hangt af van de temperatuur, maar dat is niet erg nauwkeurig. Bij goedkope elektronische binnen/buiten-thermometers wordt dit principe wel toegepast. Als vuistregel geldt een doorlaatspanningsafname van 2 mV per °C temperatuurstijging. ==Diodevergelijking van Shockley== ~~Deze formule is opgesteld door~~ [[William_Shockley\|William Bradford Shockley]], mede -uitvinder van de [[transistor]], stelde de volgende formule op voor de stroom-spanningskarakteristiek van een ideale diode.▼ :<math>I_\mathrm{D} = I_\mathrm{S} \cdot \left( e^\frac{q \cdot V_\text{D}}{n \cdot k \cdot T} - 1 \right).</math>▼ Daarin is: I* <~~sub~~math>I_\mathrm{D} </~~sub~~math> =de diodestroom<br>▼ I* <~~sub~~math>I_\mathrm{S}</~~sub~~math> ~~= diode~~de sperstroom (is sterk temperatuurafhankelijk)~~<br>~~▼ * <math>q</math> =de [[elementaire lading]]~~<br>~~▼ V* <~~sub~~math>V_\mathrm{D}</~~sub~~math> =de diodespanning~~<br>~~▼ * <math>n</math> =de diodefactor (ligt i.h.a. tussen 1 en 2)~~<br>~~▼ * <math>k</math> de [[boltzmannconstante]] * <math>T</math> =de [[absolute temperatuur]]▼ == Bruggelijkrichters == [[Bestand:Brugcellen.jpg\|thumb\|Brugcellen voor 1 en 3 fasen]] Een speciale opstelling van vier diodes die beide halve periodes van een wisselspanning kunnen omzetten in een pulserende gelijkspanning, noemt men een [[bruggelijkrichter]] of ''Graetzbrug'', of een dubbelzijdige gelijkrichter. Er bestaan ook speciale versies van diodebruggen (met meer dan vier diodes) die gebruikt worden voor het gelijkrichten van [[driefasenspanning]]. Deze noemt men dubbelzijdige [[meerfasige gelijkrichter]]s. ~~==Shockley diode vergelijking==~~ ▲Deze formule is opgesteld door [[William_Shockley\|William Bradford Shockley]], mede uitvinder van de [[transistor]]. ▲:<math>I_\mathrm{D} = I_\mathrm{S} \cdot \left( e^\frac{q \cdot V_\text{D}}{n \cdot k \cdot T} - 1 \right)</math> ~~met:<br>~~ ▲I<sub>D</sub> = diodestroom<br> ▲I<sub>S</sub> = diode sperstroom (is sterk temperatuurafhankelijk)<br> ▲q = [[elementaire lading]]<br> ▲V<sub>D</sub> = diodespanning<br> ▲n = diodefactor (ligt i.h.a. tussen 1 en 2)<br> ~~k = [[Boltzmannconstante]]<br>~~ ▲T = [[absolute temperatuur]] == Zie ook ==

Diode: verschil tussen versies