In de elektronica is het millereffect de verhoging van de effectieve ingangscapaciteit van een inverterende spanningsversterker als gevolg van de versterking van een eventueel aanwezige capacitieve koppeling tussen de ingangs- en uitgangsklemmen. De millercapaciteit is meestal een parasitaire capaciteit die inherent aanwezig is tussen de uitgang en de ingang van actieve versterkerelementen zoals transistors en radiobuizen en is de voornaamste oorzaak voor de verzwakking van de versterkingsfactor bij hoge frequenties. De millercapaciteit werd in 1920 beschreven door de Amerikaanse ingenieur John Milton Miller bij zijn onderzoek van de triode.

Afleiding bewerken

 
De in het rood getekende condensatoren   en   worden respectievelijk gevormd door de capaciteit tussen het rooster en de kathode en het rooster en de anode van de triodebuis

Het millereffect is in zijn algemeenheid geldig voor elk versterkingselement, waarin een willekeurige impedantie (meestal parasitair) zorgt voor een koppeling tussen de uitgang en de ingang. We zullen echter het effect hier beschrijven voor het geval van een triodebuis (zie afbeelding) zoals dat oorspronkelijk het geval was.

We veronderstellen dat we te doen hebben met een ideale triodeversterker met versterking  . Zolang   (met  ) blijft de versterking   ook bij de aanwezigheid van   reëel en positief.

De ingangsspanning levert nu twee stromen   door   en   door  . De spanning over   bedraagt  .

Daarmee wordt

  en
 

De totale ingangsstroom wordt dan ook  .

We kunnen dus de invloed van   vertolken als een capaciteit   parallel aan  . Als   reëel en positief is, kan deze equivalente ingangscapaciteit vele malen hoger zijn dan  . De capaciteit   wordt de millercapaciteit genoemd.

Typische waarden voor een triodeversterker zijn:   en  , de ingangscapaciteit is dan  .

Ook bij moderne actieve componenten moet men rekening houden met het millereffect. Bij bipolaire transistoren wordt de millercapaciteit bepaald door de capaciteit van de gesperde PN-overgang tussen collector en basis. Bij MOS-transistoren wordt ze bepaald door de overlapping van de poortelektrode en het bron- of afvoergebied. Deze parasitaire capaciteiten zijn echter veel kleiner dan deze die we aantreffen in de triodebuis.

Externe link bewerken

Bron bewerken

  • Prof. J. Davidse, Grondslagen van de elektronica 1, pagina's 96-97, Prisma-Technica, 1972