Transistor: verschil tussen versies

Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
Versie 54073697 van 86.88.239.115 (overleg) ongedaan gemaakt - rvv
Label: Ongedaan maken
Regel 9:
== Geschiedenis ==
[[Bestand:Replica-of-first-transistor.jpg|thumb|Een replica van de eerste werkende transistor van Bell Labs]]
De natuurkundige [[Julius Edgar Lilienfeld]] had in 1923 de eerste werkzamewerkende transistor gebouwd en in 1925 een patent voor de eerste transistor in Canada aangevraagd in een apparaat dat volgens de beschrijving overeenkomt met een [[Veldeffecttransistor|FET]] (veldeffecttransistor).<ref>Lilienfeld, Julius Edgar, "''Method and apparatus for controlling electric current''" {{US patent|1745175}} 1930-01-28 (''filed in Canada 1925-10-22, in US 1926-10-08'').</ref> Hij heeft echter geen onderzoeksartikelen geschreven over deze transistor. In 1934 heeft de Duitse uitvinder Oskar Heil een patent gekregen voor een vergelijkbaar apparaat.<ref>[http://v3.espacenet.com/publicationDetails/biblio?CC=GB&NR=439457&KC=&FT=E Heil, Oskar, "''Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control arrangements and devices''"], Patent No. GB439457, ''European Patent Office, filed in Great Britain 1934-03-02, published 1935-12-06 (originally filed in Germany 1934-03-02)''.</ref>
 
[[Bestand:Bardeen Shockley Brattain 1948.JPG|thumb|John Bardeen, William Shockley en Walter Brattain in Bell Labs, 1948.]]
Volgens de wetenschapshistoricus [[Robert Arns]] heeft [[Bell Labs]] juridische documentatie waaruit blijkt dat William Shockley en [[Gerald Pearson]] werkzamewerkende apparaten hebben kunnen bouwen die gebaseerd waren op Lilienfelds patenten zonder eraan te refereren in wetenschappelijke publicaties.<ref>{{Citeer journal|author=Arns, Robert G.|year=1998|month=October|title=''The other transistor: early history of the metal-oxide-semiconducor field-effect transistor''| url=http://ieeexplore.ieee.org/document/730824/ |journal=Engineering Science and Education Journal| volume=7|issue=5|pages=233–240|issn = 0963-7346 | doi=10.1049/esej:19980509}}</ref>
 
In 1947 ontdekten [[John Bardeen]] en [[Walter Brattain]] in Bell Labs van [[AT&T]] in de Verenigde Staten dat wanneer elektrische contacten aan een [[germanium]]kristal werden bevestigd, de [[elektrische stroom]] aan de uitgang groter werd afhankelijk van een kleine ingangsstroom. De leider van de groep Vaste Stof Fysica [[William Shockley]] onderkende het belang van deze ontdekking en binnen de volgende maanden werd zeer veel werk verzet om de kennis over halfgeleiders uit te breiden en daarom wordt hij aangezien als de "vader van de transistor". De term "transistor" werd bedacht door [[John R. Pierce]].<ref>{{Citeer boek|author=David Bodanis|title=Electric Universe|publisher=Crown Publishers, New York|year=2005|isbn=0-7394-5670-9}}</ref>