Transistor: verschil tussen versies
Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
Versie 54073697 van 86.88.239.115 (overleg) ongedaan gemaakt - rvv Label: Ongedaan maken |
|||
Regel 14:
Volgens de wetenschapshistoricus [[Robert Arns]] heeft [[Bell Labs]] juridische documentatie waaruit blijkt dat William Shockley en [[Gerald Pearson]] werkzame apparaten hebben kunnen bouwen die gebaseerd waren op Lilienfelds patenten zonder eraan te refereren in wetenschappelijke publicaties.<ref>{{Citeer journal|author=Arns, Robert G.|year=1998|month=October|title=''The other transistor: early history of the metal-oxide-semiconducor field-effect transistor''| url=http://ieeexplore.ieee.org/document/730824/ |journal=Engineering Science and Education Journal| volume=7|issue=5|pages=233–240|issn = 0963-7346 | doi=10.1049/esej:19980509}}</ref>
In 1947 ontdekten [[John Bardeen]] en [[Walter Brattain]] in Bell Labs van [[AT&T]] in de Verenigde Staten dat wanneer elektrische contacten aan een [[germanium]]kristal werden bevestigd, de [[elektrische stroom]] aan de uitgang groter werd afhankelijk van een kleine ingangsstroom. De leider van de groep Vaste Stof Fysica [[William Shockley]] onderkende het belang van deze ontdekking en binnen de volgende maanden werd zeer veel werk verzet om de kennis over halfgeleiders uit te breiden en daarom wordt hij aangezien als de "vader van de transistor". De term "transistor" werd bedacht door
De eerste op [[silicium]] gebaseerde transistor werd geproduceerd door [[Texas Instruments]] in 1954.<ref>J. Chelikowski, "Introduction: Silicon in all its Forms", ''Silicon: evolution and future of a technology'' (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel), p.1, Springer, 2004 {{ISBN|3-540-40546-1}}.</ref> Dit was het werk van Gordon Teal, een expert in het produceren van zeer zuivere kristallen, die daarvoor bij [[Bell Labs]] werkzaam was.<ref>Grant McFarland, ''Microprocessor design: a practical guide from design planning to manufacturing'', p.10, McGraw-Hill Professional, 2006 {{ISBN|0-07-145951-0}}.</ref>
| |||