MOSFET: verschil tussen versies

Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
ook dit is niet consistent - je moet wel kiezen
Regel 11:
 
=== Enhancementtype ===
[[Bestand:MOS band bending.svg|thumb|Een positieve spanning aan de gate induceert een ''nN''-kanaal onder het oxide]]
De E-Mosfet werkt alleen in de ''enhancement-mode'' (verrijkingsmodus). In passieve toestand spert de FET. Wanneer er een spanning aan de gate wordt verbonden, zal er een kanaal worden gecreëerd. Deze spanning is afhankelijk van het type kanaal dat gebruikt wordt (de spanning op de gate moet bij een verrijkingstype altijd positief zijn om deze te laten geleiden). Het type (N-, P-kanaal) geeft aan hoe de stroom vloeit als deze in geleiding is. Van drain naar source, voor een P-kanaal, of van source naar drain, voor een N-kanaal.
 
Regel 20:
De D-MOSFET werkt in de ''deplement-mode'' (verarmingsmodus). In passieve toestand is er reeds een kanaal aanwezig. Naargelang het teken van de drainspanning, zal het kanaal verbreden of versmallen. De spanning op de gate moet altijd negatief zijn om deze uit geleiding te brengen. Het type geeft aan hoe de stroom vloeit. Van drain naar source voor een P-kanaal en van source naar drain voor een N-kanaal.
 
* n-type geleidingskanaal – Het n-type MOSFET bezit reeds een nN-kanaal. Wanneer we hier een positievere spanning aanleggen dan die aan de source, dan zal het kanaal vergroten. Leggen we een negatievere spanning aan, zal de MOSFET gaan sperren.
* p-type geleidingskanaal – Een p-type MOSFET bezit in neutrale toestand een pP-kanaal. Wanneer we hier een negatievere spanning aanleggen dan die aan de source, dan zal het kanaal vergroten. Leggen we een positievere spanning aan, dan zal de MOSFET gaan sperren.
 
=== Power MOSFET ===