Versie van 8 mei 2018 20:23 bewerken Wesko (overleg \| bijdragen) uitgebreid bevestigde gebruikers, Uitgezonderden van IP-adresblokkades 1.929 bewerkingen →‎Power MOSFET: Spelfout gecorrigeerd, Grammatica gecorrigeerd Labels: Bewerking via mobiel Bewerking via mobiele app ← Oudere bewerking		Versie van 8 mei 2018 20:23 bewerken ongedaan maken Wesko (overleg \| bijdragen) uitgebreid bevestigde gebruikers, Uitgezonderden van IP-adresblokkades 1.929 bewerkingen →‎Power MOSFET: Spelfout gecorrigeerd Labels: Bewerking via mobiel Bewerking via mobiele app Nieuwere bewerking →
Regel 25: * VMOSFET. De naam van de V-MOSFET komt van de V groef in de opbouw. Dit zorgt ervoor dat het elektrisch vermogen verhoogt, door een korter en breder kanaal tussen drain en source. De [[frequentierespons]] verbetert tevens. * TMOSFET. Deze is vergelijkbaar met de VMOSFET. De gate wordt omringd door de source, hierdoor wordt de weerstand verkleind. * Dual-~~Gate~~gate MOSFET. Dit type kan een verrijkings- of verarmings-MOSFET zijn, maar het grote verschil is dat hier twee gates voorzien zijn. Dit verlaagt de capacitieve waarde van de MOSFET. Dit type wordt vooral in hoogfrequent-RF versterkers gebruikt. == Geschiedenis ==

MOSFET: verschil tussen versies