Versie van 8 mei 2018 20:21 bewerken Wesko (overleg \| bijdragen) uitgebreid bevestigde gebruikers, Uitgezonderden van IP-adresblokkades 1.937 bewerkingen →‎Depletion type: Grammatica gecorrigeerd Labels: Bewerking via mobiel Bewerking via mobiele app ← Oudere bewerking		Versie van 8 mei 2018 20:23 bewerken ongedaan maken Wesko (overleg \| bijdragen) uitgebreid bevestigde gebruikers, Uitgezonderden van IP-adresblokkades 1.937 bewerkingen →‎Power MOSFET: Spelfout gecorrigeerd, Grammatica gecorrigeerd Labels: Bewerking via mobiel Bewerking via mobiele app Nieuwere bewerking →
Regel 23: * ''Cross Section'' E-MOSFET * ''Lateral Double Diffused'' MOSFET. Dit type E-MOSFET wordt vooral gebruikt bij toepassingen voor hoog vermogen. Hiervoor is de afstand tussen drain en source verkleind. Hoe kleiner het kanaal, hoe lager de weerstand waardoor hogere stromen kunnen worden doorgelaten. * VMOSFET. De naam van de V-MOSFET komt van de V groef in de opbouw. Dit zorgt ervoor dat dehet ~~vermogen~~elektrisch ~~capaciteit~~vermogen verhoogt, door een korter en breder kanaal tussen drain en source. De [[frequentierespons]] verbetert tevens. * TMOSFET. Deze is vergelijkbaar met de VMOSFET. De ~~Gate~~gate wordt omringd door de ~~Source~~source, hierdoor wordt de weerstand verkleind. * Dual-Gate MOSFET. Dit type kan een verrijkings- of verarmings -MOSFET zijn, maar het grote verschil is dat hier twee ~~Gates~~gates voorzien zijn. Dit verlaagt de capacitieve waarde van de MOSFET. Dit type wordt vooral in hoogfrequent-RF versterkers gebruikt. == Geschiedenis ==

MOSFET: verschil tussen versies