CMOS: verschil tussen versies

'''''Complementary Metal Oxide Semiconductor''''' of '''CMOS''' is een [[Halfgeleider (elektronica)|halfgeleider]]techniek die gebruikmaakt van metaaloxide-[[veldeffecttransistor]]en met zowel n- als p-typegeleiding. Door deze complementaire schakeling zijn circuits ofwel met de negatieve ofwel met de positieve [[elektrische spanning|voedingsspanning]] verbonden, terwijl de tegenoverliggende transistor niet geleidt, waardoor de schakeling vrijwel geen [[Elektrische stroom|stroom]] verbruikt als er niet geschakeld wordt. CMOS werd in 1967 gepatenteerd door [[Frank Wanlass]].<ref>[[s:en:United States patent 3356858|US patent 3,356,858]]</ref>

Mede vanwege het lage stroomgebruik wordt CMOS-technologie gebruikt voor [[beeldsensor]]en. Hierin is het de grootste concurrent van de [[Charge-coupled device|CCD]]. Veel van de bewerkingen die bij een CCD achteraf nodig zijn, kunnen in CMOS-chips op de chip zelf worden uitgevoerd, zoals versterking, ruisreductie en interpolatie. Waar bij een CCD de [[Elektrische lading|lading]] aan het eind van de hele reeks [[pixel]]s omgezet wordt naar een spanning, gebeurt dit bij CMOS op elke pixel apart. In consumentenapparatuur, zeker waar een zo laag mogelijk stroomgebruik wenselijk is, worden steeds vaker CMOS-sensoren toegepast. Ze zijn ook veel goedkoper te produceren en daarom worden ze ook steeds vaker in digitale [[spiegelreflexcamera]]’s toegepast.

* [[MOSFET]] - (''Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor''