MOSFET: verschil tussen versies
Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
→Soorten: Foute info Labels: Bewerking via mobiel Bewerking via mobiele website |
|||
Regel 6:
=== Enhancement type ===
[[Bestand:MOS band bending.svg|thumb|Een positieve spanning aan de gate induceert een ''n''-kanaal onder het oxide.]]
De E-Mosfet werkt enkel in de "enhancement-mode" (verrijkingsmode). In passieve toestand, spert de FET. Wanneer er een spanning aan de gate wordt verbonden, zal er een kanaal worden gecreëerd. Deze spanning is afhankelijk van het type kanaal er gebruikt wordt.(De spanning op de gate moet bij een verrijkingstype altijd positief zijn om deze te laten geleiden. Het type (N-, P-kanaal) geeft aan hoe de stroom vloeit als deze in geleiding is. Van drain naar source, voor een P-kanaal, of van source naar drian, voor een N-kanaal.)
* n-type geleidingskanaal
Dit type MOSFET bevat positief gedopeerd silicium die een sperlaag vormt en aan de Drain en Source negatief gedopeerd silicium. Om dit type in geleiding te brengen, zal er aan de Gate een positieve spanning moeten aangelegd worden. Hierdoor worden de positieve deeltjes afgestoten en negatieve deeltjes uit het negatief gedopeerde silicium aangetrokken. Hierdoor wordt er een kanaal gecreëerd.
Regel 13 ⟶ 14:
=== Depletion type ===
De D-MOSFET werkt in de 'deplement-mode' (verarmingsmode). In passieve toestand is er reeds een kanaal aanwezig. Naar gelang het teken van de Drainspanning, zal het kanaal verbreden of versmallen. (De spanning op de gate ,bij een verarmingstype MOSFET, moet altijd negatief zijn om deze uit geleiding te brengen. Het type geeft aan hoe de stroom vloeit. Van drain naar source voor een P-kanaal en van source naar drain voor een N-kanaal.)
* n-type geleidingskanaal
Het n-type MOSFET bezit reeds een n-kanaal. Wanneer we hier een positievere spanning aanleggen dan die aan de Source, dan zal het kanaal vergroten. Leggen we een negatievere spanning aan, zal de MOSFET gaan sperren.
| |||