Wolfraam(VI)fluoride: verschil tussen versies

Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
Capaccio (overleg | bijdragen)
k extra spatie in reactievergelijking voor equidistantie met AWB
Capaccio (overleg | bijdragen)
k →‎Toepassingen bij chemical vapor deposition: herstel parserfout in math-code met AWB
Regel 83:
Wolfraam kan ook worden opgebracht op een chip van silicium of ander halfgeleider materiaal via chemical vapor deposition.<ref name="react"><!--[http://www.mne.umd.edu/grad/courses/old_courses_stuff_saved/659s_mats_&_proc_for_microelectronics/659s_spring_1998/enma659S_spr98_final_project_results/wcvd/sih4.html]--> James Clark School of Engineering</ref> Het proces is temperatuurafhankelijk. Onder de 400°C vindt de ontleding naar [[siliciumtetrafluoride]] plaats:
 
:<math>\mathrm{2\ WF_6\ +\ 3\ Si\\ \longrightarrow 2\ W\ +\ 3\ SiF_4}</math>
 
Boven de 400°C vindt de ontleding naar [[siliciumdifluoride]] plaats:
 
:<math>\mathrm{WF_6\ +\ 3\ Si_2\\ \longrightarrow W\ +\ 3\ SiF_2}</math>
 
Het silicium reduceert het wolfraam van een oxidatietoestand van +VI naar de nulwaardige toestand van het element.