Halfgeleider (elektronica): verschil tussen versies
Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
Geen bewerkingssamenvatting |
|||
Regel 17:
Verontreinigen we silicium daarentegen met driewaardige [[boor (element)|booratomen]], dan proberen die een vierde elektron te 'lenen' om de buitenste elektronenschil vol te maken. Dat is één meer dan de buren beschikbaar hebben. Daardoor gaan die ook weer op zoek naar een ander elektron, waardoor er steeds ergens één tekort is. Zo'n tekort noemen we een ''[[Gat (halfgeleiderfysica)|gat]]'' (soms ook ''holte'' of ''leemte''). Er zijn dus 'vrije gaten', die een zekere geleiding verzorgen doordat elektronen steeds van gat naar gat springen. Per saldo betekent dit dat zo'n gat zich gedraagt als een positief 'deeltje'. (Een elektron is immers negatief geladen.) Met driewaardige atomen gedoteerd silicium wordt p-silicium genoemd, omdat er een tekort is aan elektronen, wat we beschrijven als een overschot aan ('''p'''ositieve) gaten.
Het hierdoor ontstane geleidingsvermogen is in het algemeen kleiner dan dat van metalen. Bovendien neemt het geleidingsvermogen van halfgeleiders toe bij stijgende temperatuur, terwijl het bij metalen juist afneemt bij stijgende temperatuur. Hieruit blijkt al dat het geleidingsmechanisme afwijkt
=== N-type halfgeleider ===
| |||