Versie van 28 sep 2011 09:20 bewerken MoiraMoira (overleg \| bijdragen) 529.889 bewerkingen k Wijzigingen door 83.82.219.209 (Overleg) hersteld tot de laatste versie door MoiraMoira ← Oudere bewerking		Versie van 22 jan 2012 22:53 bewerken ongedaan maken 78.21.19.203 (overleg) →‎Enhancement type Nieuwere bewerking →
Regel 9: De E-Mosfet werkt enkel in de "enhancement-mode" (verrijkingsmode). In passieve toestand, spert de FET. Wanneer er een spanning aan de gate wordt verbonden, zal er een kanaal worden gecreëerd. Deze spanning is afhankelijk van het type kanaal er gebruikt wordt. * n-type geleidingskanaal In dit type MOSFET, heb je positief gedopeerd silicium die een sperlaag vormt en aan de Drain en Source negatief ~~geladen~~gedopeerd silicium. Om dit type in geleiding te brengen, zal er aan de Gate een positieve spanning moeten aangelegd worden. Hierdoor worden de positieve deeltjes afgestoten en negatieve deeltjes uit het positieve gedopeerde silicium aangetrokken. Hierdoor wordt er een kanaal gecreëerd. * p-type geleidingskanaal (vb. de [[EOSFET]]s in een [[neurochip]]) Dit type MOSFET heeft negatief ~~gedoteerd~~gedopeerd silicium die een sperlaag vormt. Aan de Drain en Source bevindt zich positief ~~geladen~~gedopeerd silicium. Om dit type in geleiding te brengen, zal er aan de Gate een negatieve spanning moeten aangelegd worden. Hierdoor worden de negatieve deeltjes afgestoten en positieve deeltjes uit het positieve gedopeerde silicium aangetrokken. Hierdoor wordt er een kanaal gecreëerd. === Depletion type ===

MOSFET: verschil tussen versies