MRAM: verschil tussen versies
Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
k link naar GMR |
|||
Regel 4:
{{Geheugen lijst}}
MRAM (Magnetic Random Access Memory) is een nieuwe geheugentechnologie gebaseerd op dunne film magnetisme. Geheugencellen worden gefabriceerd uit een dunne magnetische multilaag. Deze multilaag bestaat doorgaans uit een zogenaamde 'vaste' magnetische laag en een 'vrije' magnetische laag. De magnetisatie van de vaste laag is gefixeerd in een vaste richting en kan niet gemakkelijk beïnvloed worden door externe magnetische velden. Deze fixatie gebeurt doorgaans via het exchange biassen van de vaste ferromagnetische laag met een antiferromagneet. Zoals de naam doet vermoeden, is de magnetisatie van de vrije laag wel gemakkelijk te beïnvloeden. Een stroom die door zo'n multilaag elementje vloeit zal een hoge of lage weerstand ervaren naargelang de magnetisaties van de vaste en vrije laag anti-parallel of parallel georiënteerd staan, volgens het
Net zoals FLASH geheugen is MRAM niet volatiel, d.w.z. de informatie blijft permanent bewaard in het geheugen element. In tegenstelling tot de FLASH technolgie belooft MRAM snellere schrijfsnelheden gecombineerd met leessnelheden die die van SDRAM evenaren.
|