MOSFET: verschil tussen versies

== Beschrijving ==

De MOSFET is opgebouwd uit lagen in de volgorde M, O, S ([[metaal]], oxide, [[halfgeleider (elektronica)|semiconductor]]). De metaallaag vormt de ''gate''-aansluiting, hoewel dit in de praktijk ook een [[doteren|hooggedoteerde]] [[Halfgeleider (elektronica)|halfgeleider]] kan zijn in plaats van een metaal. De MOSFET bevat verder ook nog een ''source''- en ''drain''-aansluiting die elk verbonden zijn met een hooggedoteerd gebied in de halfgeleider. Er is ook een bulkcontact – dat verbinding maakt met het substraat – mogelijk, maar vaak wordt dit intern verbonden met de source. Door het aanbrengen van een spanning op de gate verandert de ladingsdragerconcentratie in de [[Halfgeleider (elektronica)|halfgeleider]], waardoor de [[elektrische weerstand (eigenschap)|weerstand]] tussen de source en drain verandert. Door de aanwezigheid van een isolerende oxidelaag tussen gate en de halfgeleider vloeit er geen stroom door de gate; dit in tegenstelling tot de [[bipolaire transistor]], waar er wel stroom door de basis vloeit. De MOSFET wordt gebruikt in [[elektronica]] wanneer een hoge [[impedantie|ingangsimpedantie]] benodigd is.

 

== Geschiedenis ==