* ''Lateral Double Diffused'' MOSFET. – Dit type E-MOSFET wordt vooral gebruikt bij toepassingen voor hoog vermogen. Hiervoor is de afstand tussen drain en source verkleind. Hoe kleiner het kanaal, hoe lager de weerstand waardoor hogere stromen kunnen worden doorgelaten.
* VMOSFET.V-MOSFET – De naam van de V-MOSFET komt van de V-groef in de opbouw. Die zorgt ervoor dat het elektrisch vermogen hoger wordt als gevolg van een korter en breder kanaal tussen drain en source. Bovendien wordt de [[frequentierespons]] beter.
* TMOSFET.T-MOSFET – Deze is vergelijkbaar met de VMOSFETV-MOSFET. De gate wordt omringd door de source, waardoor de weerstand kleiner wordt.
* Dual-gate MOSFET. – Dit type kan een verrijkings- of verarmings-MOSFET zijn, maar het grote verschil is dat hier twee gates voorzien zijn. Dit verlaagt de capacitieve waarde van de MOSFET. Dit type wordt vooral in hoogfrequent-RF-versterkers gebruikt.
