MOSFET: verschil tussen versies

* ''Lateral Double Diffused'' MOSFET. Dit type E-MOSFET wordt vooral gebruikt bij toepassingen voor hoog vermogen toepassingen. Hiervoor is de afstand tussen Draindrain en Sourcesource verkleind,. hoeHoe kleiner het kanaal, hoe lager de weerstand, hierdoor kunnenwaardoor hogere stromen kunnen worden doorgelaten.

* VMOSFET. De naam van de V-MOSFET komt van de V groef in de opbouw. Dit zorgt ervoor dat de vermogen capaciteit verhoogt, door een korter en breder kanaal tussen drain en source. De Frequency response[[frequentierespons]] verbetert tevens.

Het basisprincipe van de MOSFET, oorspronkelijk IGFET genoemd, werd voor het eerst in een patent opgenomen door [[Julius Edgar Lilienfeld]] in 1925. Onafhankelijk werd dit idee tien jaar later, in 1935, geopperd door O. Heil (Engeland). Door de ontoereikende materiaalkennis en de toenmalige stand van de techniek was men lange tijd niet in staat dit idee om te zetten in de praktijk. Het duurde tot begin jaren 1970 voor de MOSFET aan zijn echte opmars kon beginnen. De eerste MOS -schakelingen waren van het PMOS-type en werden gebruikt in toepassingen als rekentoestellen. Daarop volgde een tweede fase in de revolutie die werd ingezet door de eerste [[Intel ]]-microprocessoren in 1972 (de 4004) en in 1974 (de 8080). Deze processoren werden in NMOS uitgevoerd omdat daarmee een hogere snelheid behaald kon/kan worden. Rond dezelfde periode, in 1970, werden ook de eerste MOS geheugens gebouwd, met een tot dan toe ongekende densiteit (4Kbit/chip).