Transistor: verschil tussen versies
Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
k sjabloon:ISBN met AWB |
|||
Regel 16:
In 1947 ontdekten [[John Bardeen]] en [[Walter Brattain]] in Bell Labs van [[AT&T]] in de Verenigde Staten dat wanneer elektrische contacten aan een [[germanium]]kristal werden bevestigd, de [[elektrische stroom]] aan de uitgang groter werd afhankelijk van een kleine ingangsstroom. De leider van de groep Vaste Stof Fysica [[William Shockley]] onderkende het belang van deze ontdekking en binnen de volgende maanden werd zeer veel werk verzet om de kennis over halfgeleiders uit te breiden en daarom wordt hij aangezien als de "vader van de transistor". De term "transistor" werd bedacht door [[John R. Pierce]].<ref>{{cite book|author=David Bodanis|title=Electric Universe|publisher=Crown Publishers, New York|year=2005|isbn=0-7394-5670-9}}</ref>
De eerste op [[silicium]] gebaseerde transistor werd geproduceerd door [[Texas Instruments]] in 1954.<ref>J. Chelikowski, "Introduction: Silicon in all its Forms", ''Silicon: evolution and future of a technology'' (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel), p.1, Springer, 2004 {{ISBN
De eerste [[MOSFET|MOS]]-transistor (Metal-Oxide-Semiconductor) werd gebouwd door Kahng en Atalla bij Bell Labs.<ref>W. Heywang, K. H. Zaininger, "Silicon: The Semiconductor Material", ''Silicon: evolution and future of a technology'' (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel), p.36, Springer, 2004 {{ISBN
In 1956 kregen Bardeen, Brattain en Shockley de [[Nobelprijs voor Natuurkunde]] voor hun onderzoek naar halfgeleiders en de ontdekking van het transistoreffect.<ref>[http://www.pbs.org/transistor/background1/events/miraclemo.html Historisch artikel van het ''American Institute of Physics'']</ref>
Regel 46:
#basis (B),
#emitter (E) en
#collector (C).
Voor een veldeffecttransistor zijn dat:
Regel 94:
::<math> {\mathrm{R_{th(h-a)}}} = \frac{(T_{j(max)} - T_{a})}{P} - \mathrm{R_{th(j-m)}} - \mathrm{R_{th(i)}} - \mathrm{R_{th(m-h)}} </math>
Voorbeelden van praktische warmteweerstanden: een TO-3 behuizing die met 2 M3-bouten direct is gemonteerd zonder geleidende pasta levert een <math>R_{th(m-h)}</math> ~ 0,6 K/W. Met pasta wordt dat ~ 0,1 K/W en met een [[mica]]plaatje respectievelijk 1 K/W en 0,3 K/W. Standaard [[Printplaat|printmateriaal]] met een koperoppervlak van 50 × 50
Voor de diverse koellichamen wordt de thermische weerstand door de fabrikant opgegeven, die neemt op groter hoogte toe. Een koellichaam dient bij voorkeur in verticale stand te worden gemonteerd om de luchtstroom die door de warmteafgifte wordt veroorzaakt zo weinig mogelijk te hinderen. Voor blanke oppervlakken is de thermische weerstand 10 à 15 % hoger. Bij horizontale opstelling moet met 15 à 20 % hogere waarden worden gerekend.
| |||