Wolfraam(VI)fluoride: verschil tussen versies

Wolfraam(VI)fluoride van een voldoend hoge zuiverheid om gebruikt te worden in de [[Halfgeleider (elektronica)|halfgeleidervervaardiging]] wordt gemaakt door de reactie van [[difluor|fluor]]gas met [[wolfraam]]metaal. Het metaal wordt in een verhitte reactor gebracht onder enigszins verhoogde druk van 1,2 tot 2,0 [[Pound-force per square inch|psi]] (ongeveer 8,3 tot 14,8 [[Pascal (eenheid)|kPa]]).<ref name="synth1">[http://www.patentstorm.us/patents/{{US patent|6544889.html}} "Method for tungsten chemical vapor deposition on a Patentsemiconductor Storm]substrate"</ref>

Het is ook mogelijk het gebruik van elementair fluor te vermijden en uit te gaan van de reactie van [[waterstoffluoride]] met ofwel het metaal ofwel een [[halogenide]]:<ref name="synthCl">[http://www.freepatentsonline.com/{{US patent|3995011.html}} "Preparation of tungsten hexafluoride from halogen and hydrogen Patent]fluoride"</ref>