MRAM: verschil tussen versies
Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
Geen bewerkingssamenvatting |
vragen kunnen op de overlegpagina |
||
Regel 2:
== Werking ==
MRAM is een geheugentechnologie gebaseerd op dunnefilmmagnetisme. Geheugencellen worden gefabriceerd uit een dunne magnetische multilaag. Deze multilaag bestaat doorgaans uit een zogenaamde 'vaste' magnetische laag en een 'vrije' magnetische laag. De magnetisatie van de vaste laag is gefixeerd in een vaste richting en kan niet gemakkelijk beïnvloed worden door externe magnetische velden. Deze fixatie gebeurt doorgaans via het exchange biassen
Net zoals FLASH geheugen is MRAM niet vluchtig, dat wil zeggen de informatie blijft permanent bewaard in het geheugenelement. In tegenstelling tot de [[Flashgeheugen|Flash-technologie]] belooft MRAM snellere schrijfsnelheden gecombineerd met leessnelheden die die van SDRAM evenaren.
|