Omdat het verwarmingsgebiedverarmingsgebied zo klein is, is het voor de elektronen mogelijk om bij een zeer lage [[biasstroom]] in de doorlaatrichting door de [[Bipolaire transistor|pn-junctie]] te glippen. Er is dus sprake van een [[tunneleffect]]. De diode gedraagt zich dan als een geleider. Dit wordt weergegeven in de figuur tussen de punten A en B. In punt B begint de spanning in de doorlaatrichting een barrière te vormen. Dit zal, voor een stijging in doorlaatspanning, resulteren in een daling van de stroom. In het gebied tussen B en C geldt dan volgende relatie: