Een '''MOSFET''' of '''Metal-Oxide-SemiconductorScreen Field-Effect Transistor''' is een [[veldeffecttransistor]] (FET) die is opgebouwd uit lagen in de volgorde M, O, S ([[metaal]], oxide, [[Halfgeleider (elektronica)|halfgeleider]]). De metaallaag vormt de gate terminal, hoewel dit in de praktijk ook een [[doteren|hooggedoteerde]] [[Halfgeleider (elektronica)|halfgeleider]] kan zijn in plaats van een metaal. De MOSFET bevat verder ook nog een source en drain terminal die elk verbonden zijn met een hooggedoteerd gebied in de halfgeleider. Er is ook een bulk contact - dat verbinding maakt met het substraat - mogelijk, maar vaak wordt dit intern verbonden met de source. Door het aanbrengen van een spanning op de gate terminal verandert de ladingsdragerconcentratie in de [[Halfgeleider (elektronica)|halfgeleider]], hierdoor verandert de [[elektrische weerstand (eigenschap)|weerstand]] tussen de source en drain terminal. Door de aanwezigheid van een isolerende oxidelaag tussen gate en de halfgeleider, vloeit er geen stroom door de gate terminal; dit in tegenstelling met de [[bipolaire transistor]] waar er wel stroom vloeit door de basis. De MOSFET wordt gebruikt in [[elektronica]] wanneer een hoge [[impedantie|ingangsimpedantie]] benodigd is.
